ＹＰＩ－ＭＸ－Θ ＤＣ
SiC／GaN関連ウェハ表面検査装置
SiC表面パーティクルスキャナ デュアルヘッド搭載
SiC潜傷の未検出を防ぐ 新開発SiC表面パーティクルスキャナ。
従来の表面パーティクル検査装置で検出できないSiC表面の潜傷を未検出する事なく測定。
透明基板検査可能なYPI-MXに搭載する事で、微小傷欠陥を未検出する事なく測定可能なデュアルセンサ。
355nm(UV)レーザーと受光センサを直交2軸に配置することで、微小傷欠陥の方向性依存をなくし、Sic基板の傷欠陥・潜傷を見落とす事なく検出する事が可能。
仕様
| 仕様 | ・スキャン方式 ：レーザ側方散乱方式、デュアルヘッドセンサ ・ワーク設置 ：マニュアル／自動搬送機 ・消費電力 ：AC100V／200V 30A ・最小検出粒径 ：0.1μm ・再現性 ：σ／X ≦ 10% ・測定時間 ：4インチウェハを2分以内 ・検査対象基板 ：SiC／各種透明ガラス基板／Siウェハ／各種膜付きウェハ等 ・装置外形寸法 ：W900mm×D1,000mm×H1,757mm(ﾏﾆｭｱﾙ） W1,530mm×D1,200mm×H1,715mm(自動搬送機) ・本体重量 ：約500kg(ﾏﾆｭｱﾙ)／約1,000kg(自動搬送機) |
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